- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄376342 > SDT08S60 (INFINEON TECHNOLOGIES AG) Thinq SiC Schottky Diode PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | SDT08S60 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | Thinq SiC Schottky Diode |
| 中文描述： | Thinq碳化硅肖特基二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 207K |
| 代理商： | SDT08S60 |
2004-03-18
Rev. 2.0
Page 5
SDT08S60
5 Typ. reverse current vs. reverse voltage
I
R
=
f
(
V
R
)
100 150 200 250 300 350 400 450 500
V
600
V
R
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
μA
I
R
150°C
125°C
100°C
25°C
6 Transient thermal impedance
Z
thJC
=
f
(
t
p
)
parameter :
D
=
t
p
/
T
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
0
s
t
p
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
K/W
SDT08S60
Z
t
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
7 Typ. capacitance vs. reverse voltage
C
=
f
(
V
R
)
parameter:
T
C
= 25 °C,
f
= 1 MHz
10
0
10
1
10
2
10
3
V
V
R
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
pF
300
C
8 Typ.
C
stored energy
E
C
=
f
(
V
R
)
0
100
200
300
400
V
600
V
R
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
μJ
5
E
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SE5532AD8G | Internally Compensated Dual Low Noise Operational Amplifier |
| SE5532AD8R2 | Internally Compensated Dual Low Noise Operational Amplifier |
| SE5532AD8R2G | Internally Compensated Dual Low Noise Operational Amplifier |
| SE5532NG | Internally Compensated Dual Low Noise Operational Amplifier |
| SE5534ANG | Single Low Noise Operational Amplifier |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SDT08S60_08 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Silicon Carbide Schottky Diode |
| SDT08S60XK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 |
| SDT100 | 制造商:SIRECTIFIER 制造商全稱:Sirectifier Semiconductors 功能描述:Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules |
| SDT100GK08 | 制造商:SIRECTIFIER 制造商全稱:Sirectifier Semiconductors 功能描述:Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules |
| SDT100GK12 | 制造商:SIRECTIFIER 制造商全稱:Sirectifier Semiconductors 功能描述:Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。