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參數(shù)資料
| 型號： | SI3230MPPQX-EVB |
| 廠商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件頁數(shù)： | 54/108頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | BOARD EVAL W/DISCRETE INTERFACE |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 系列： | ProSLIC® |
| 主要目的： | 接口，模擬前端（AFE） |
| 已用 IC / 零件： | Si3230 |
| 已供物品： | 板，CD |
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Si3230
Preliminary Rev. 0.96
5
Not
Recommended
fo
r N
ew
D
esi
gn
s
Table 2. Recommended Operating Conditions
Parameter
Symbol
Test Condition
Min*
Typ
Max*
Unit
Ambient Temperature
TA
K-grade
0
25
70
oC
Ambient Temperature
TA
B-grade
–40
25
85
oC
Si3230 Supply Voltage
VDDD,VDDA1
,VDDA2
3.13
3.3/5.0
5.25
V
Si3201 Supply Voltage
VDD
3.13
3.3/5.0
5.0
V
Si3201 Battery Voltage
VBAT
VBATH = VBAT
–96
—
0
V
*Note: All minimum and maximum specifications are guaranteed and apply across the recommended operating conditions.
Typical values apply at nominal supply voltages and an operating temperature of 25 oC unless otherwise stated.
Product specifications are only guaranteed when the typical application circuit (including component tolerances) is
used.
Table 3. AC Characteristics
(VDDA, VDDD = 3.13 to 5.25 V, TA = 0 to 70°C for K-Grade, –40 to 85°C for B-Grade)
Parameter
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
TX/RX Performance
Overload Level
THD = 1.5%
2.5
—
VPK
Audio Tone Generator
Signal-to-Distortion Ratio1
0 dBm0, Active off-hook,
and OHT, any Zac
45
—
dB
Intermodulation Distortion
—
–45
dB
2-Wire Return Loss
200 Hz to 3.4 kHz
30
35
—
dB
Noise Performance
Idle Channel Noise3
C-Message Weighted
—
15
dBrnC
Psophometric Weighted
—
–75
dBmP
3 kHz flat
—
18
dBrn
PSRR from VDDA
RX and TX, DC to 3.4 kHz
40
—
dB
PSRR from VDDD
RX and TX, DC to 3.4 kHz
40
—
dB
PSRR from VBAT
RX and TX, DC to 3.4 kHz
40
—
dB
Notes:
1. Analog signal measured as VTIP – VRING. Assumes ideal line impedance matching.
2. The quantization errors inherent in the
/A-law companding process can generate slightly worse gain tracking
performance in the signal range of 3 dB to –37 dB for signal frequencies that are integer divisors of the 8 kHz PCM
sampling rate.
3. The level of any unwanted tones within the bandwidth of 0 to 4 kHz does not exceed –55 dBm.
4. Assumes normal distribution of betas.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EBA31DCBS | CONN EDGECARD 62POS R/A .125 SLD |
| GCM22DRMH | CONN EDGECARD 44POS .156 WW |
| MAX17535ETG+ | IC SMBUS BATT CHRGR HF 24TQFN |
| CW252016-15NG | INDUCTOR 15NH 1008 SMD |
| GCM22DRMD | CONN EDGECARD 44POS .156 WW |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI3230M-X-FM | 制造商:SILABS 制造商全稱:SILABS 功能描述:PROSLIC㈢ PROGRAMMABLE CMOS SLIC WITH RINGING/BATTERY VOLTAGE GENERATION |
| SI3230M-X-GM | 制造商:SILABS 制造商全稱:SILABS 功能描述:PROSLIC㈢ PROGRAMMABLE CMOS SLIC WITH RINGING/BATTERY VOLTAGE GENERATION |
| SI3230PPQX-EVB | 功能描述:音頻 IC 開發(fā)工具 Si3230 QFN EVAL BOARD RoHS:否 制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品:Evaluation Kits 類型:Audio Amplifiers 工具用于評估:TAS5614L 工作電源電壓:12 V to 38 V |
| SI3230-X-FM | 制造商:SILABS 制造商全稱:SILABS 功能描述:PROSLIC㈢ PROGRAMMABLE CMOS SLIC WITH RINGING/BATTERY VOLTAGE GENERATION |
| SI3230-X-GM | 制造商:SILABS 制造商全稱:SILABS 功能描述:PROSLIC㈢ PROGRAMMABLE CMOS SLIC WITH RINGING/BATTERY VOLTAGE GENERATION |
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