參數(shù)資料
型號(hào)： SKB02N60
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode
中文描述： 快速IGBT在不擴(kuò)散核武器條約與軟，恢復(fù)快反平行快恢復(fù)二極管技術(shù)
文件頁數(shù)： 10/13頁
文件大小： 397K
代理商： SKB02N60
SKP02N60
SKB02N60
10
Jul-02
I
F
,
F
0.0V
0.5V
1.0V
1.5V
2.0V
0A
1A
2A
3A
4A
100°C
-55°C
25°C
150°C
V
F
,
F
-40°C
T
j
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 26. Typical diode forward voltage as
a function of junction temperature
0°C
40°C
80°C
120°C
1.0V
1.5V
2.0V
2.5V
V
F
,
FORWARD VOLTAGE
Figure 25. Typical diode forward current as
a function of forward voltage
Z
t
,
T
1μs
10μs
100μs
1ms
10ms 100ms
1s
10
-2
K/W
10
-1
K/W
10
0
K/W
10
1
K/W
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
single pulse
D
=0.5
t
p
,
PULSE WIDTH
Figure 27. Diode transient thermal
impedance as a function of pulse width
(
D
=
t
p
/
T
)
I
F
= 2A
I
F
= 4A
C
1
=
τ
1
/
R
1
R
1
R
2
C
2
=
τ
2
/
R
2
R
,(K/W )
0.830
2.240
3.930
τ
,
(s)
=
6.40*10
-3
8.79*10
-4
1.19*10
-4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SKP02N60 Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode
SKP02N120 Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode
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SLA24C01-D The CAT24FC02 is a 2-kb Serial CMOS EEPROM internally organized as 256 words of 8 bits each
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