參數(shù)資料
型號(hào)： SPA04N80C3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Cool MOS⑩ Power Transistor
中文描述： 酷馬鞍山⑩功率晶體管
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大小： 250K
代理商： SPA04N80C3
2003-07-02
Page 7
SPP04N80C3
SPA04N80C3
Final data
9 Typ. drain-source on resistance
R
DS(on)
=
f
(
I
D
)
parameter:
T
j
=150°C,
V
GS
0
1
2
3
4
5
A
I
D
6.5
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
15
R
D
5.5V
6V
4V
4.5V
5V
20V
10 Drain-source on-state resistance
R
DS(on)
=
f
(
T
j
)
parameter :
I
D
= 2.5 A,
V
GS
= 10 V
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
7.5
SPP04N80C3
R
D
typ
98%
11 Typ. transfer characteristics
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
DS(on)max
parameter:
t
p
= 10 μs
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
20
V
GS
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
A
13
I
D
25°C
150°C
12 Typ. gate charge
V
GS
=
f
(
Q
Gate
)
parameter:
I
D
= 4 A pulsed
0
4
8
12
16
20
24
28
nC
34
Q
Gate
0
2
4
6
8
10
12
V
16
SPP04N80C3
V
G
0,8
V
DS max
DS max
V
0,2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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