參數(shù)資料
型號(hào)： SPA04N80C3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Cool MOS⑩ Power Transistor
中文描述： 酷馬鞍山⑩功率晶體管
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大?。?/td> 250K
代理商： SPA04N80C3
2003-07-02
Page 8
SPP04N80C3
SPA04N80C3
Final data
13 Forward characteristics of body diode
I
F
=
f
(V
SD
)
parameter:
T
j , t
p
= 10 μs
2
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
V
3
V
SD
-1
10
0
10
1
10
A
SPP04N80C3
I
F
T
j
= 25 °C typ
T
j
= 150 °C typ
T
j
= 25 °C (98%)
T
j
= 150 °C (98%)
14 Avalanche SOA
I
AR
=
f
(
t
AR
)
par.:
T
j
≤
150 °C
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
4
μs
t
AR
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
A
4
I
A
T
j(START)=25°C
T
j(START)=125°C
15 Avalanche energy
E
AS
=
f
(
T
j
)
par.:
I
D
= 0.8 A,
V
DD
= 50 V
25
50
75
100
°C
150
T
j
0
20
40
60
80
100
120
140
mJ
180
E
A
16 Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
=
f
(
T
j
)
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
720
740
760
780
800
820
840
860
880
900
920
940
V
980
SPP04N80C3
V
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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