參數(shù)資料
型號(hào): SPB-3018
廠商: Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述: 400 - 2500 MHz 1W Medium Power Active Bias InGaP/GaAs HBT Amplifier
中文描述: 400 - 2500兆赫1W的中等功率有源偏置的InGaP / GaAs HBT的放大器
文件頁(yè)數(shù): 9/9頁(yè)
文件大?。?/td> 205K
代理商: SPB-3018
Broomfield, CO 80021
9
EDS-103980 Rev C
SPB-3018 400-2500 MHz Cascadable MMIC Amplifier
Preliminary
303 S. Technology Ct.
Phone: (800) SMI-MMIC http://www.sirenza.com
Package Outline Drawing
(See SMDI MPO-101644 for tolerances, available on our website)
Note:
DIMENSIONS ARE IN INCHES [MM]
0.020 [0.51]
0.140 [3.56]
0.080 [2.03]
0.050 [1.27]
0.150 [3.81]
0.300 [7.62]
Plated-Thru Holes
(0.015" Dia, 0.030" Pitch)
Machine
Screws
Recommended Land Pattern
Part Number
Reel Size
Devices / Reel
SPB-3018
7"
500
SPB-3018Z
7"
500
Part Ordering Information
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPB-66S Schottky Barrier Diodes
SPP73N03S2L-08 OptiMOS Power-Transistor
SPC714M Mini Flat Photo Coupler
SPC714 DIP Photo Coupler
SPC715M MOSFET; Drain Source Voltage, Vds:20V; Continuous Drain Current, Id:85A; On-Resistance, Rds(on):3mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Leaded Process Compatible:Yes; Package/Case:TO-263; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SPB-3018Z 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:400 - 2500 MHz 1W Medium Power Active Bias InGaP/GaAs HBT Amplifier
SPB30N03 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Power Transistor
SPB32N03L 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
SPB35N10 功能描述:MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPB35N10 G 功能描述:MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件