型號(hào): | SPB-3018 |
廠商: | Electronic Theatre Controls, Inc. |
英文描述: | 400 - 2500 MHz 1W Medium Power Active Bias InGaP/GaAs HBT Amplifier |
中文描述: | 400 - 2500兆赫1W的中等功率有源偏置的InGaP / GaAs HBT的放大器 |
文件頁(yè)數(shù): | 9/9頁(yè) |
文件大?。?/td> | 205K |
代理商: | SPB-3018 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SPB-3018Z | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:400 - 2500 MHz 1W Medium Power Active Bias InGaP/GaAs HBT Amplifier |
SPB30N03 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Power Transistor |
SPB32N03L | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
SPB35N10 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
SPB35N10 G | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |