參數(shù)資料
型號(hào)： SPB-3018Z
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： 400 - 2500 MHz 1W Medium Power Active Bias InGaP/GaAs HBT Amplifier
中文描述： 400 - 2500兆赫1W的中等功率有源偏置的InGaP / GaAs HBT的放大器
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 205K
代理商： SPB-3018Z
Broomfield, CO 80021
3
EDS-103980 Rev C
SPB-3018 400-2500 MHz Cascadable MMIC Amplifier
Preliminary
303 S. Technology Ct.
Phone: (800) SMI-MMIC http://www.sirenza.com
1960 MHz Application Circuit Data, V
cc
=5V, I
D
=210mA
P1dB vs. Frequency
24
26
28
30
32
34
1.93
1.94
1.95
1.96
GHz
1.97
1.98
1.99
d
P1dB -40C
P1dB 25C
P1dB 85C
IM3 vs. Tone Power
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
6
8
10
12
Pout (dBm)
14
16
18
20
22
24
I
IM3_-40C
IM3_25C
IM3_85C
Gain vs. Frequency
7
9
11
13
15
17
1.93
1.94
1.95
1.96
1.97
1.98
1.99
Frequency (GHz)
d
S21_25C
S21_-40C
S21_85C
Input/Output Return Loss,
Isolation vs. Frequency, T=25C
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
1.93
1.94
1.95
Frequency (GHz)
1.96
1.97
1.98
1.99
d
S11
S12
S22
ACP vs. Ch. Power(IS-95 9 Ch. Fwd.)
-75.0
-70.0
-65.0
-60.0
-55.0
-50.0
-45.0
-40.0
-35.0
-30.0
15
16
17
18
19
20
21
22
23
Ch. Pwr. (dBm)
d
ACP -40C
ACP 85C
ACP 25C
Collector Efficiency vs. Ch. Pwr.
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
15
16
17
18
19
20
21
22
23
Ch. Pwr. (dBm)
%
Eff. % -40C
Eff. % 85C
Eff. % 25C
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PDF描述
SPB-3018 400 - 2500 MHz 1W Medium Power Active Bias InGaP/GaAs HBT Amplifier
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SPB35N10T 功能描述:MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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