參數(shù)資料
型號： SPB-3018Z
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： 400 - 2500 MHz 1W Medium Power Active Bias InGaP/GaAs HBT Amplifier
中文描述： 400 - 2500兆赫1W的中等功率有源偏置的InGaP / GaAs HBT的放大器
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大小： 205K
代理商： SPB-3018Z
Broomfield, CO 80021
5
EDS-103980 Rev C
SPB-3018 400-2500 MHz Cascadable MMIC Amplifier
Preliminary
303 S. Technology Ct.
Phone: (800) SMI-MMIC http://www.sirenza.com
Ζ=50, 22.2°
Ζ=50, 7.5°
Ζ=50, 3.9°
4.3Κ
300
Ζ=50, 0.6°
Note:
Electrical lengths are determined from
the center of a shunt component and a cut on
the center trace
3
+
Bill of Materials:
C1 15pF 0603 Capacitor
C2 5.6pF 0603 Capacitor
C3 47pF 0603 Capacitor
C4 1000pF 0603 capacitor
C5 10uF Tantalum capacitor
C6,C7 0.1uF 0603 capacitor
C8 5.6pF 0603 capacitor
C9 6.8pF 0603 capacitor
R1 300
0603 res (5%)
R2 4.3K
0603 res (5%)
R3 3
0603 res (5%)
L1 20nH Coilcraft 0805HQ-20NX Inductor
Connectors 2x 142-0751-821 Johnson Comp.
Heat sink EEF-101407
PCB ECB-101161 Rev. C
Application Schematic for 880 MHz
Evaluation Board Layout for 880 MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPB-3018 400 - 2500 MHz 1W Medium Power Active Bias InGaP/GaAs HBT Amplifier
SPB-66S Schottky Barrier Diodes
SPP73N03S2L-08 OptiMOS Power-Transistor
SPC714M Mini Flat Photo Coupler
SPC714 DIP Photo Coupler
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參數(shù)描述
SPB30N03 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Power Transistor
SPB32N03L 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
SPB35N10 功能描述:MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPB35N10 G 功能描述:MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPB35N10T 功能描述:MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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