參數(shù)資料
型號： SPB80N04S2L-04
廠商： SIEMENS AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管（馬鞍山型功率晶體管）
文件頁數(shù)： 4/8頁
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代理商： SPB80N04S2L-04
2000-04-20
Page 4
SPP80N04S2L-04
SPB80N04S2L-04
Preliminary data
Power dissipation
P
tot
=
f
(
T
C
)
0
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
T
C
0
40
80
120
160
200
240
W
320
SPP80N04S2L-04
P
t
Drain current
I
D
=
f
(
T
C
)
parameter:
V
GS
≥
10 V
SPP80N04S2L-04
0
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
T
C
0
10
20
30
40
50
60
70
A
90
I
D
Safe operating area
I
D
=
f
(
V
DS
)
parameter :
D
= 0 ,
T
C
= 25 °C
SPP80N04S2L-04
10
-1
10
0
10
1
10
2
V
V
DS
0
10
1
10
2
10
3
10
A
I
D
R
DSo)
V
DS
I
D
DC
10 ms
1 ms
100 μs
t
p = 21.0μs
Transient thermal impedance
Z
thJC
=
f
(
t
p
)
parameter :
D
=
t
p
/
T
SPP80N04S2L-04
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
0
s
t
p
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
K/W
Z
t
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
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PDF描述
SPP80N04S2L-04 OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
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