參數(shù)資料
型號: SPB80N04S2L-04
廠商: SIEMENS AG
英文描述: OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
中文描述: 的OptiMOS功率晶體管(馬鞍山型功率晶體管)
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代理商: SPB80N04S2L-04
2000-04-20
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SPP80N04S2L-04
SPB80N04S2L-04
Preliminary data
Avalanche energy
E
AS
=
f
(
T
j
)
par.:
I
D
= 80 A ,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
25
45
65
85
105
125
145
°C
185
T
j
0
100
200
300
400
500
600
mJ
800
E
A
Typ. gate charge
V
GS
=
f
(
Q
Gate
)
parameter:
I
D
= 80 A pulsed
SPP80N04S2L-04
0
40
80
120
160
nC
240
Q
Gate
0
2
4
6
8
10
12
V
16
V
G
0,8
V
DS max
DS max
V
0,2
Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
=
f
(
T
j
)
parameter:
I
D
=10 mA
SPP80N04S2L-04
-60
-20
20
60
100
140
°C
T
j
200
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
V
49
V
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPP80N04S2L-04 OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
SPC5200CBV400 MPC5200 Hardware Specifications
SPD02N50C3 Cool MOS™ Power Transistor
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參數(shù)描述
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SPB80N06S-08 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPB80N06S-08_05 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Power-Transistor
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