參數(shù)資料
型號： SPD02N50C3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Cool MOS™ Power Transistor
文件頁數(shù)： 7/11頁
文件大?。?/td> 267K
代理商： SPD02N50C3
2003-10-07
Page 7
SPD02N50C3
Final data
9 Typ. gate charge
V
GS
=
f
(
Q
Gate
)
parameter:
I
D
= 1.8 A pulsed
0
2
4
6
8
10
nC
Q
Gate
13
0
2
4
6
8
10
12
V
16
SPD02N50C3
V
G
0.2
V
DS max
0.8
V
DS max
10 Forward characteristics of body diode
I
F
=
f
(V
SD
)
parameter:
T
j , t
p
= 10 μs
1
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
V
3
V
SD
-2
10
-1
10
0
10
A
SPD02N50C3
I
F
T
j
= 25 °C typ
T
j
= 150 °C typ
T
j
= 25 °C (98%)
T
j
= 150 °C (98%)
11 Avalanche SOA
I
AR
=
f
(
t
AR
)
par.:
T
j
≤
150 °C
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
4
μs
t
AR
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
A
2
I
A
T
j(START)
=25°C
T
j(START)
=125°C
12 Avalanche energy
E
AS
=
f
(
T
j
)
par.:
I
D
= 1.35 A,
V
DD
= 50 V
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
j
0
10
20
30
mJ
50
E
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPD03N50C3 Cool MOS™ Power Transistor
SPD03N60S5 Cool MOS Power-Transistor(Cool MOS 功率晶體管)
SPU03N60S5 Cool MOS Power-Transistor(Cool MOS 功率晶體管)
SPD04N80C3 Cool MOS⑩ Power Transistor
SPD07N20 SIPMOS Power Transistor
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參數(shù)描述
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SPD02N60C3 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET COOLMOS N D-PAK
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