參數(shù)資料
型號： SPD30N03S2L-08
廠商： SIEMENS AG
英文描述： OptiMOSPower-Transistor( MOS 型功率晶體管)
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管（馬鞍山型功率晶體管）
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大小： 90K
代理商： SPD30N03S2L-08
2000-05-03
Page 6
SPD30N03S2L-08
Preliminary data
Drain-source on-state resistance
R
DS(on)
=
f
(
T
j
)
parameter :
I
D
= 30 A,
V
GS
= 10 V
SPD30N03S2L-08
-60
-20
20
60
100
140
°C
T
j
200
0
2
4
6
8
10
12
14
17
R
D
typ
98%
Gate threshold voltage
V
GS(th)
=
f
(
T
j)
parameter:
V
GS
=
V
DS
,
I
D
= 80 μA
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
3.0
V
G
98 %
typ.
2 %
Typ. capacitances
C
=
f
(
V
DS
)
parameter:
V
GS
=0V,
f
=1 MHz
0
5
10
15
20
V
30
V
DS
2
10
3
10
4
10
pF
C
C
i
ss
C
oss
C
rss
Forward characteristics of reverse diode
I
F
=
f
(V
SD
)
parameter:
T
j , t
p
= 80 μs
3
10
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
V
3.0
V
SD
0
10
1
10
2
10
A
SPD30N03S2L-08
I
F
T
j
= 25 °C typ
T
j
= 175 °C typ
T
j
= 25 °C (98%)
T
j
= 175 °C (98%)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPI-240-15-T1 Ultraminiature photointerrupter supporting reflow soldering (Darlington-transistor type)
SPI07N60C3 Cool MOS⑩ Power Transistor
SPI07N60S5 Cool MOS⑩ Power Transistor
SPI10N10 CAP 1000PF 100V 1% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
SPP10N10 CAP 1000PF 100V 5% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SPD30N03S2L-10 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPD30N03S2L-10 G 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPD30N03S2L-10_08 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS Power-Transistor Feature N-Channel Enhancement mode
SPD30N03S2L10BUMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
SPD30N03S2L-10G 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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