參數(shù)資料
型號(hào)： SPD30N03S2L-08
廠商： SIEMENS AG
英文描述： OptiMOSPower-Transistor( MOS 型功率晶體管)
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管（馬鞍山型功率晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大小： 90K
代理商： SPD30N03S2L-08
2000-05-03
Page 7
SPD30N03S2L-08
Preliminary data
Avalanche energy
E
AS
=
f
(
T
j
)
par.:
I
D
= 30 A ,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
25
45
65
85
105
125
145
°C
185
T
j
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
mJ
260
E
A
Typ. gate charge
V
GS
=
f
(
Q
Gate
)
parameter:
I
D
= 30 A pulsed
SPD30N03S2L-08
0
10
20
30
40
50
60
nC
75
Q
Gate
0
2
4
6
8
10
12
V
16
V
G
0,8
V
DS max
DS max
V
0,2
Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
=
f
(
T
j
)
parameter:
I
D
=10 mA
SPD30N03S2L-08
-60
-20
20
60
100
140
°C
T
j
200
27
28
29
30
31
32
33
34
35
V
37
V
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPI-240-15-T1 Ultraminiature photointerrupter supporting reflow soldering (Darlington-transistor type)
SPI07N60C3 Cool MOS⑩ Power Transistor
SPI07N60S5 Cool MOS⑩ Power Transistor
SPI10N10 CAP 1000PF 100V 1% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
SPP10N10 CAP 1000PF 100V 5% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SPD30N03S2L-10 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPD30N03S2L-10 G 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPD30N03S2L-10_08 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS Power-Transistor Feature N-Channel Enhancement mode
SPD30N03S2L10BUMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
SPD30N03S2L-10G 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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