參數(shù)資料
型號： SPP80N04S2L-04
廠商： SIEMENS AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管（馬鞍山型功率晶體管）
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 94K
代理商： SPP80N04S2L-04
2000-04-20
Page 2
SPP80N04S2L-04
SPB80N04S2L-04
Preliminary data
Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Values
typ.
Unit
min.
max.
Characteristics
Thermal resistance, junction - case
Thermal resistance, junction - ambient, leaded
SMD version, device on PCB:
@ min. footprint
@ 6 cm
2
cooling area
1)
R
thJC
R
thJA
R
thJA
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
62
62
40
K/W
Electrical Characteristics
, at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
typ.
Unit
min.
max.
Static Characteristics
Drain-source breakdown voltage
V
GS
= 0 V,
I
D
= 1 mA
Gate threshold voltage,
V
GS
=
V
DS
I
D
= 250 μA
Zero gate voltage drain current
V
DS
= 40 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 40 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 °C
Gate-source leakage current
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
Drain-source on-state resistance
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 80 A
Drain-source on-state resistance
V
GS
= 10 V,
I
D
= 80 A
V
(BR)DSS
40
-
-
V
V
GS(th)
1.2
1.6
2
I
DSS
-
-
0.01
1
1
100
μA
I
GSS
-
1
100
nA
R
DS(on)
-
3.5
4.5
m
R
DS(on)
-
2.7
3.6
1Device on 40mm*40mm*1.5mm epoxy PCB FR4 with 6cm2 (one layer, 70 μm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical without blown air.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPC5200CBV400 MPC5200 Hardware Specifications
SPD02N50C3 Cool MOS™ Power Transistor
SPD03N50C3 Cool MOS™ Power Transistor
SPD03N60S5 Cool MOS Power-Transistor(Cool MOS 功率晶體管)
SPU03N60S5 Cool MOS Power-Transistor(Cool MOS 功率晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SPP80N06S08 功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPP80N06S-08 功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPP80N06S08AKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
SPP80N06S08NK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
SPP80N06S2-05 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*