參數(shù)資料
型號： SPP80N04S2L-04
廠商： SIEMENS AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管（馬鞍山型功率晶體管）
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 94K
代理商： SPP80N04S2L-04
2000-04-20
Page 3
SPP80N04S2L-04
SPB80N04S2L-04
Preliminary data
Electrical Characteristics
, at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Conditions
Values
typ.
Unit
min.
max.
Dynamic Characteristics
Transconductance
g
fs
V
DS
≥
2*
I
D
*
R
DS(on)max
,
I
D
=80A
79
158
-
S
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f
=1MHz
-
-
-
-
-
-
-
5960
1890
460
24
350
60
80
7450
2360
610
36
525
90
120
pF
V
DD
=20V,
V
GS
=4.5V,
I
D
=80A,
R
G
=1.1
ns
Gate Charge Characteristics
Gate to source charge
Gate to drain charge
Gate charge total
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=32V,
I
D
=80A
-
-
-
18
54
160
23
72
210
nC
V
DD
=32V,
I
D
=80A,
V
GS
=0 to 10V
Gate plateau voltage
V
(plateau)
V
DD
= 32 V ,
I
D
=80A
-
3.2
-
V
Reverse Diode
Inverse diode continuous
forward current
I
S
T
C
=25°C
-
-
80
A
Inverse diode direct current,
pulsed
I
SM
-
-
320
Inverse diode forward voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V,
I
F
=80A
-
-
-
0.9
62
145
1.3
78
180
V
ns
nC
V
R
=20V,
I
F=
l
S
,
d
i
F
/d
t
=100A/μs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPC5200CBV400 MPC5200 Hardware Specifications
SPD02N50C3 Cool MOS™ Power Transistor
SPD03N50C3 Cool MOS™ Power Transistor
SPD03N60S5 Cool MOS Power-Transistor(Cool MOS 功率晶體管)
SPU03N60S5 Cool MOS Power-Transistor(Cool MOS 功率晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SPP80N06S08 功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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SPP80N06S08AKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
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