參數(shù)資料
型號： SPU07N20
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： SIPMOS Power Transistor
中文描述： SIPMOS功率晶體管
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 120K
代理商： SPU07N20
SPD 07N20
Data Sheet
4
05.99
Electrical Characteristics
, at
T
j = 25 C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
typ.
Unit
min.
max.
Dynamic Characteristics
Gate to source charge
V
DD
= 160 V,
I
D
= 7 A
Gate to drain charge
V
DD
= 160 V,
I
D
= 7 A
Gate charge total
V
DD
= 160 V,
I
D
= 7 A,
V
GS
= 0 to 10 V
Gate plateau voltage
V
DD
= 160 V,
I
D
= 7 A
7.5
nC
5
Q
gs
-
-
10
Q
gd
22.5
-
21
31.5
Q
g
V
(plateau)
7
-
V
-
Reverse Diode
Inverse diode continuous forward current
T
C
= 25 C
Inverse diode direct current,pulsed
T
C
= 25 C
Inverse diode forward voltage
V
GS
= 0 V,
I
F
= 14 A
Reverse recovery time
V
R
= 100 V,
I
F
=
I
S
, d
i
F
/d
t
= 100 A/μs
Reverse recovery charge
V
R
= 100 V,
I
F=
l
S
, d
i
F
/d
t
= 100 A/μs
I
S
-
-
7
A
I
SM
-
-
28
V
SD
-
1.3
V
1.7
t
rr
-
200
ns
300
Q
rr
-
μC
0.6
0.9
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPD08N10 SIPMOS Power Transistor
SPU08N10 SIPMOS Power Transistor
SPD09N05 SIPMOS PowerTransistor
SPU09N05 SIPMOS PowerTransistor
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參數(shù)描述
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