參數(shù)資料
型號： SPU07N20
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： SIPMOS Power Transistor
中文描述： SIPMOS功率晶體管
文件頁數(shù)： 8/8頁
文件大?。?/td> 120K
代理商： SPU07N20
SPD 07N20
Data Sheet
8
05.99
Typ. gate charge
V
GS
=
f
(
Q
Gate
)
parameter:
I
D puls
= 7 A
SPD07N20
0
4
8
12
16
20
24
28
nC
Q
Gate
34
0
2
4
6
8
10
12
V
16
V
G
DS max
V
0,8
DS max
V
0,2
Avalanche Energy
E
AS
=
f
(
T
j
)
parameter:
I
D
= 7 A,
V
DD
= 50 V
R
GS
= 25
20
40
60
80
100
120
C
160
Tj
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
mJ
130
E
A
Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
=
f
(
T
j
)
-60
-20
20
60
100
C
180
T
j
180
185
190
195
200
205
210
215
220
225
230
235
V
245
SPD07N20
V
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPD08N10 SIPMOS Power Transistor
SPU08N10 SIPMOS Power Transistor
SPD09N05 SIPMOS PowerTransistor
SPU09N05 SIPMOS PowerTransistor
SPD09P06PL BNC Adapter; Body Style:Bulkhead Adapter, Jack-Jack; Contact Termination:Clamp/Solder; RG Cable Type:58, 59, 179, 316 RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SPU07N20G 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOSò Power Transistor Features N channel Enhancement mode Avalanche rated
SPU07N60C2 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Cool MOS⑩ Power Transistor
SPU07N60C3 功能描述:MOSFET COOL MOS N-CH 650V 7.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPU07N60C3BKMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:COOL MOS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-251
SPU07N60S5 功能描述:MOSFET COOL MOS N-CH 600V 7.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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