型號: | STB55NF06LT4 |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 55A I(D) | TO-263AB |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五(巴西)直| 55A條(丁)|對263AB |
文件頁數(shù): | 4/10頁 |
文件大小: | 119K |
代理商: | STB55NF06LT4 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
STB55NF06T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-263AB |
STB55NF03LT4 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
STB55NF06 | N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220FP/I PAK/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET |
STB55NF06-1 | N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220FP/I PAK/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET |
STB5NA50-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-262VAR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
STB55NF06T4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 60 Volt 50 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STB5600 | 功能描述:射頻無線雜項 GPS Front-End RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel |
STB5600TR | 功能描述:射頻無線雜項 GPS Front-End RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel |
STB5610 | 功能描述:射頻無線雜項 GPS Front-End RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel |
STB5610TR | 功能描述:射頻無線雜項 GPS RF Front End RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel |