參數(shù)資料
型號(hào)： STB55NF06LT4
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 55A I(D) | TO-263AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 55A條（?。﹟對(duì)263AB
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
文件大小： 119K
代理商： STB55NF06LT4
STB55NF06-1 STP55NF06 STP55NF06FP
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Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveform
Fig. 3:
Switching TimesTest Circuits ForResistive
Load
Fig. 4:
Gate Charge test Circuit
Fig. 5:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB55NF06T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-263AB
STB55NF03LT4 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
STB55NF06 N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220FP/I PAK/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
STB55NF06-1 N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220FP/I PAK/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
STB5NA50-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-262VAR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB55NF06T4 功能描述:MOSFET N-Ch 60 Volt 50 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB5600 功能描述:射頻無(wú)線雜項(xiàng) GPS Front-End RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel
STB5600TR 功能描述:射頻無(wú)線雜項(xiàng) GPS Front-End RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel
STB5610 功能描述:射頻無(wú)線雜項(xiàng) GPS Front-End RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel
STB5610TR 功能描述:射頻無(wú)線雜項(xiàng) GPS RF Front End RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel
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