參數(shù)資料
型號(hào)： STB5NB60-1
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-251AA
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 600V的五（巴西）直| 5A條（丁）|對(duì)251AA
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
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代理商： STB5NB60-1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 250 V
R
G
= 15
(see test circuit, figure 3)
V
DD
= 400 V
R
G
= 15
(see test circuit, figure 5)
V
DD
= 400 V
I
D
= 2.5 A
V
GS
= 10 V
17
30
25
40
ns
ns
(di/dt)
on
Turn-on Current Slope
I
D
= 5 A
V
GS
= 10 V
450
A/
μ
s
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
I
D
= 5 A
V
GS
= 10 V
32
7
14
45
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 400 V
R
G
= 15
(see test circuit, figure 5)
I
D
= 5 A
V
GS
= 10 V
18
12
30
25
18
42
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
5
20
A
A
V
SD
(
)
I
SD
= 5 A
V
GS
= 0
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
C
1.6
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 5 A
V
DD
= 50 V
(see test circuit, figure 5)
380
3.8
20
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration =300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse widthlimitedby safe operating area
Safe Operating Area
ThermalImpedance
STB5NA50
3/10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB5NB80T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-263AB
STB60NE06-16T4 DIODE TVS 24V 1500W 5% UNI AXL
STB60NE06L-16T4 DIODE TVS 27V 1500W 5% BI AXL
STB60NF06LT4 DIODE 1N6284A BI DIR
STB60NF06T4 39V TRANSORB DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB5NB60T4 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB5NB80 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 800V - 1.8ohm - 5A -D2PAK PowerMESH] MOSFET
STB5NB80T4 功能描述:MOSFET N-CH 800V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB5NC50 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 1.3ohm - 5.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK PowerMesh⑩II MOSFET
STB5NC50-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 1.3ohm - 5.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK PowerMesh⑩II MOSFET
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