參數(shù)資料
型號： STB5NB60-1
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-251AA
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 600V的五（巴西）直| 5A條（丁）|對251AA
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大?。?/td> 126K
代理商： STB5NB60-1
Fig. 3:
SwitchingTimes Test Circuits For
Resistive Load
Fig. 5:
Test Circuit For InductiveLoad Switching
And DIode Recovery Times
Fig. 4:
Gate Charge test Circuit
STB5NA50
7/10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB5NB80T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-263AB
STB60NE06-16T4 DIODE TVS 24V 1500W 5% UNI AXL
STB60NE06L-16T4 DIODE TVS 27V 1500W 5% BI AXL
STB60NF06LT4 DIODE 1N6284A BI DIR
STB60NF06T4 39V TRANSORB DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB5NB60T4 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB5NB80 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 800V - 1.8ohm - 5A -D2PAK PowerMESH] MOSFET
STB5NB80T4 功能描述:MOSFET N-CH 800V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB5NC50 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 1.3ohm - 5.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK PowerMesh⑩II MOSFET
STB5NC50-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 1.3ohm - 5.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK PowerMesh⑩II MOSFET
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