參數(shù)資料
型號： STB60NE03L-10T4
英文描述： DIODE TVS 10V 1.5KW BI-DIR
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直|第60A條（?。﹟對263AB
文件頁數(shù)： 2/9頁
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代理商： STB60NE03L-10T4
STB60NE06-16
2/9
THERMAL DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
°
C unless otherwise specified)
OFF
ON
(*
)
DYNAMIC
Rthj-case
Rthj-amb
T
l
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Max
1
62.5
300
°
C/W
°
C/W
°
C
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
D
= 250
μ
A, V
GS
= 0
60
V
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating T
C
= 125
°
C
1
10
μ
A
μ
A
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS
=
±
20 V
±
100
nA
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
2
3
4
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
0.013
0.016
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
(*)
Forward Transconductance
V
DS
>I
D(on)
xR
DS(on)max
I
D
=30 A
20
35
S
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
= 25V f = 1 MHz V
GS
= 0
4600
580
140
pF
pF
pF
相關PDF資料
PDF描述
STB60NE03L-12T4 TVS Diode; Diode Type:Unidirectional TVS; Stand-Off Voltage, VRWM:15.3V; Breakdown Voltage, Vbr:17.1V; Package/Case:DO-201; Leaded Process Compatible:Yes; No. of Lines Protected Max:1; Peak Pulse Current IPP @ 10x1000uS:60.3A RoHS Compliant: Yes
STB60NF06 N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A D2PAK STripFET⑩ POWER MOSFET
STB60NF10 N-CHANNEL 100V - 0.019ohm - 80A D2PAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET
STB60NF10T4 N-CHANNEL 100V - 0.019ohm - 80A D2PAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET
STB6LNC60T4 TVS Diode; Leaded Process Compatible:Yes
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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