參數(shù)資料
型號： STB60NE03L-10T4
英文描述： DIODE TVS 10V 1.5KW BI-DIR
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直|第60A條（?。﹟對263AB
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大?。?/td> 143K
代理商： STB60NE03L-10T4
7/9
STB60NE06-16
DIM.
mm.
TYP.
inch.
TYP.
MIN.
4.4
2.49
0.03
0.7
1.14
0.45
1.21
8.95
MAX.
4.6
2.69
0.23
0.93
1.7
0.6
1.36
9.35
MIN.
0.173
0.098
0.001
0.028
0.045
0.018
0.048
0.352
TYP.
0.181
0.106
0.009
0.037
0.067
0.024
0.054
0.368
A
A1
A2
B
B2
C
C2
D
D1
E
E1
G
L
L2
L3
M
R
V2
8
0.315
10
8.5
4.88
15
1.27
1.4
2.4
10.4
0.394
0.409
0.334
5.28
15.85
1.4
1.75
3.2
0.192
0.591
0.050
0.055
0.094
0.208
0.624
0.055
0.069
0.126
0.4
0.016
0
°
8
°
0
°
8
°
D
2
PAK MECHANICAL DATA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB60NE03L-12T4 TVS Diode; Diode Type:Unidirectional TVS; Stand-Off Voltage, VRWM:15.3V; Breakdown Voltage, Vbr:17.1V; Package/Case:DO-201; Leaded Process Compatible:Yes; No. of Lines Protected Max:1; Peak Pulse Current IPP @ 10x1000uS:60.3A RoHS Compliant: Yes
STB60NF06 N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A D2PAK STripFET⑩ POWER MOSFET
STB60NF10 N-CHANNEL 100V - 0.019ohm - 80A D2PAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET
STB60NF10T4 N-CHANNEL 100V - 0.019ohm - 80A D2PAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET
STB6LNC60T4 TVS Diode; Leaded Process Compatible:Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB60NE03L-12 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 30V - 0.009 OHM - 60A - D2PAK SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
STB60NE03L-12T4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-263AB
STB60NE06-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
STB60NE06-16 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
STB60NE06-16T4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-263AB
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