參數資料
型號： STB60NE03L-12T4
英文描述： TVS Diode; Diode Type:Unidirectional TVS; Stand-Off Voltage, VRWM:15.3V; Breakdown Voltage, Vbr:17.1V; Package/Case:DO-201; Leaded Process Compatible:Yes; No. of Lines Protected Max:1; Peak Pulse Current IPP @ 10x1000uS:60.3A RoHS Compliant: Yes
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直|第60A條（?。﹟對263AB
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代理商： STB60NE03L-12T4
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STB60NE06-16
Normalized Gate Threshold Voltage vs Temperature
Normalized on Resistance vs Temperature
Source-drain Diode Forward Characteristics
Normalized Breakdown Voltage Temperature
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相關PDF資料
PDF描述
STB60NF06 N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A D2PAK STripFET⑩ POWER MOSFET
STB60NF10 N-CHANNEL 100V - 0.019ohm - 80A D2PAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET
STB60NF10T4 N-CHANNEL 100V - 0.019ohm - 80A D2PAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET
STB6LNC60T4 TVS Diode; Leaded Process Compatible:Yes
STB6NA60-1 82V, 1.5KW TRANZORB, 1.5 KE82A, IN6293A
相關代理商/技術參數
參數描述
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STB60NE06-16T4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-263AB
STB60NE06L-16 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
STB60NE06L-16T4 功能描述:MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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