參數(shù)資料
型號(hào)： STB60NF06T4
英文描述： 39V TRANSORB DIODE
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直|第60A條（?。﹟對(duì)263AB
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
文件大?。?/td> 143K
代理商： STB60NF06T4
STB60NE06-16
4/9
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Transconductance
Static Drain-source On Resistance
Gate Charge vs Gate-source Voltage
Capacitance Variations
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB60N06-14-1 Fuse Holder; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes RoHS Compliant: Yes
STB60NE03L10 Fuse Holder; Mounting Type:In-Line; Body Material:Thermoplastic; Contact Plating:Tin; Current Rating:20A; For Use With:3AG/3AB Fuses; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Series:155; Wire Size (AWG):14
STB60NE03L-10T4 DIODE TVS 10V 1.5KW BI-DIR
STB60NE03L-12T4 TVS Diode; Diode Type:Unidirectional TVS; Stand-Off Voltage, VRWM:15.3V; Breakdown Voltage, Vbr:17.1V; Package/Case:DO-201; Leaded Process Compatible:Yes; No. of Lines Protected Max:1; Peak Pulse Current IPP @ 10x1000uS:60.3A RoHS Compliant: Yes
STB60NF06 N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A D2PAK STripFET⑩ POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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STB60NF10_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 100V - 0.019Ω - 80A - TO-220 - D2PAK - I2PAK STripFET? II Power MOSFET
STB60NF10-1 功能描述:MOSFET N Ch 100V 0.019Ohm 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB60NF10T4 功能描述:MOSFET N Ch 100V 0.019Ohm 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB60NH02L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 24V - 0.0085 ohm - 60A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
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