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參數(shù)資料
| 型號： | STB6NA80-1 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5.7A I(D) | TO-262VAR |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 800V的五（巴西）直| 5.7AI（四）|對262VAR |
| 文件頁數(shù)： | 4/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 130K |
| 代理商： | STB6NA80-1 |
Derating Curve
TransferCharacteristics
Static Drain-sourceOn Resistance
Output Characteristics
Transconductance
Gate Charge vs Gate-source Voltage
STB6NA60
4/10
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB6NA80T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5.7A I(D) | TO-263AB |
| STB6NC60T4 | Resettable Fuse; Operating Voltage Max:6V; Holding Current:1.5uA; Tripping Current:3uA; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Steady State Current Max:40A; Voltage Rating:6V |
| STB6NC90ZT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 5.4A I(D) | TO-252AA |
| STB70NFS03LT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 70A I(D) | TO-263AB |
| STB70NH03L | N-CHANNEL 30V - 0.0075 OHM - 60A D2PAK STRIPFET III POWER MOSFET FOR DC-DC CONVERSION |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STB6NA80T4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5.7A I(D) | TO-263AB |
| STB6NB50 | 功能描述:MOSFET N-Ch 500 Volt 6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STB6NB50-1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5.8A I(D) | TO-262AA |
| STB6NB50T4 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5.8A I(D) | TO-263AB |
| STB6NB90 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 900V - 1.7OHM - 5.8A - D2PAK PowerMESHO MOSFET |
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