參數(shù)資料
型號： STB6NA80T4
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5.7A I(D) | TO-263AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 800V的五（巴西）直| 5.7AI（四）|對263AB
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大?。?/td> 130K
代理商： STB6NA80T4
Derating Curve
TransferCharacteristics
Static Drain-sourceOn Resistance
Output Characteristics
Transconductance
Gate Charge vs Gate-source Voltage
STB6NA60
4/10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB6NC60T4 Resettable Fuse; Operating Voltage Max:6V; Holding Current:1.5uA; Tripping Current:3uA; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Steady State Current Max:40A; Voltage Rating:6V
STB6NC90ZT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 5.4A I(D) | TO-252AA
STB70NFS03LT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 70A I(D) | TO-263AB
STB70NH03L N-CHANNEL 30V - 0.0075 OHM - 60A D2PAK STRIPFET III POWER MOSFET FOR DC-DC CONVERSION
STB70NF02LT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 70A I(D) | TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB6NB50 功能描述:MOSFET N-Ch 500 Volt 6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB6NB50-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5.8A I(D) | TO-262AA
STB6NB50T4 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5.8A I(D) | TO-263AB
STB6NB90 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 900V - 1.7OHM - 5.8A - D2PAK PowerMESHO MOSFET
STB6NB90T4 功能描述:MOSFET N-CH 900V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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