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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STD10N10-1 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-251 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五（巴西）直| 10A條（?。﹟至251 |
| 文件頁數(shù)： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 171K |
| 代理商： | STD10N10-1 |
1/10
December 2002
STD100NH02L
N-CHANNEL 20V - 0.0038
- 60A DPAK/IPAK
STripFET
III POWER MOSFET
I
TYPICAL R
DS
(on) = 0.0038
@ 10 V
I
R
DS(ON)
* Qg INDUSTRY’s BENCHMARK
I
CONDUCTION LOSSES REDUCED
I
SWITCHING LOSSES REDUCED
I
LOW THRESHOLD DEVICE
I
THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER
PACKAGE IN TUBE (SUFFIX “-1”)
I
SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL
(SUFFIX “T4”)
DESCRIPTION
The STD100NH02L utilizes the latest advanced design
rules of ST’s proprietary STripFET
technology. This is
suitable fot the most demanding DC-DC converter
application where high efficiency is to be achieved.
APPLICATIONS
I
SPECIFICALLY DESIGNED AND OPTIMISED
FOR HIGH EFFICIENCY DC/DC CONVERTES
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
STD100NH02L
20 V
< 0.0048
60 A(#)
3
2
1
1
3
IPAK
TO-251
(Suffix “-1”)
DPAK
TO-252
(Suffix “T4”)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
V
DGR
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
V
GS
Gate- source Voltage
I
D
(#)
Drain Current (continuous) at T
C
= 25
°
C
I
D
(#)
Drain Current (continuous) at T
C
= 100
°
C
I
DM
(
)
Drain Current (pulsed)
P
tot
Total Dissipation at T
C
= 25
°
C
Derating Factor
E
AS(1)
Single Pulse Avalanche Energy
T
stg
Storage Temperature
T
j
Max. Operating Junction Temperature
(
)
Pulse width limited by safe operating area.
(#) Value limited by wire bonding
(1) Starting T
j
= 25
o
C, I
D
= 30A, V
DD
= 10V
Parameter
Value
20
20
±
20
60
60
240
100
0.67
800
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W/
°
C
mJ
-55 to 175
°
C
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STD10N10L | TRANSISTOR SMD MOSFET TO 252 D PAK |
| STD10N10L1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-251 |
| STD10NF10-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-251AA |
| STD10NF10T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-252AA |
| STD10PF06-1 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-251AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STD10N10L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR SMD MOSFET TO 252 D PAK |
| STD10N10L1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-251 |
| STD10N60DM2 | 功能描述:N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:530 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:529pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| STD10N60M2 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Tape and Reel 制造商:STMicroelectronics 功能描述:STD10N60M2 Series 600 V 7.5 A 0.6 Ohm N-channel Power MOSFET - TO-252-3 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-Channel 600V 7.5A DPAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:600V,0.56,7.5A,N-Channel Power MOSFET 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V,0.56Ohm,7.5A Power MOSFET |
| STD10NF06L | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 60V - 0.1ohm - 10A DPAK STripFET⑩ POWER MOSFET |
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