參數(shù)資料
型號: STD10N10-1
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-251
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五(巴西)直| 10A條(?。﹟至251
文件頁數(shù): 5/10頁
文件大小: 171K
代理商: STD10N10-1
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STD100NH02L
Normalized Gate Threshold Voltage vs Temperature
Normalized on Resistance vs Temperature
Source-drain Diode Forward Characteristics
Normalized Breakdown Voltage vs Temperature
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD10N10L TRANSISTOR SMD MOSFET TO 252 D PAK
STD10N10L1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-251
STD10NF10-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-251AA
STD10NF10T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-252AA
STD10PF06-1 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-251AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD10N10L 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR SMD MOSFET TO 252 D PAK
STD10N10L1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-251
STD10N60DM2 功能描述:N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):530 毫歐 @ 4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):529pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STD10N60M2 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Tape and Reel 制造商:STMicroelectronics 功能描述:STD10N60M2 Series 600 V 7.5 A 0.6 Ohm N-channel Power MOSFET - TO-252-3 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-Channel 600V 7.5A DPAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:600V,0.56,7.5A,N-Channel Power MOSFET 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V,0.56Ohm,7.5A Power MOSFET
STD10NF06L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 60V - 0.1ohm - 10A DPAK STripFET⑩ POWER MOSFET