參數(shù)資料
型號(hào)： STD10N10L1
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-251
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五（巴西）直| 10A條（?。﹟至251
文件頁(yè)數(shù)： 2/10頁(yè)
文件大小： 171K
代理商： STD10N10L1
STD100NH02L
2/10
THERMAL DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
CASE
= 25
°
C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
ON
(*
)
DYNAMIC
Rthj-case
Rthj-amb
T
l
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Max
1.5
100
300
°
C/W
°
C/W
°
C
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
D
= 250
μ
A, V
GS
= 0
20
V
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating T
C
= 125
°
C
1
10
μ
A
μ
A
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS
=
±
20V
±
100
nA
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
1
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
0.0038
0.0048
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs(*)
Forward Transconductance
V
DS
= 10 V
I
D
= 30 A
50
S
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
= 15V f = 1 MHz V
GS
= 0
3940
1020
110
pF
pF
pF
R
G
Gate Input Resistance
f = 1 MHz Gate DC Bias = 0
Test Signal Level = 20 mV
Open Drain
1.1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD10NF10-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-251AA
STD10NF10T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-252AA
STD10PF06-1 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-251AA
STD10PF06T4 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-252AA
STD10PF06 P - CHANNEL 60V - 0.18 ohm - 10A TO-252 STripFET POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD10N60DM2 功能描述:N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:530 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:529pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STD10N60M2 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Tape and Reel 制造商:STMicroelectronics 功能描述:STD10N60M2 Series 600 V 7.5 A 0.6 Ohm N-channel Power MOSFET - TO-252-3 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-Channel 600V 7.5A DPAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:600V,0.56,7.5A,N-Channel Power MOSFET 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V,0.56Ohm,7.5A Power MOSFET
STD10NF06L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 60V - 0.1ohm - 10A DPAK STripFET⑩ POWER MOSFET
STD10NF10 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-Channel 100V 13A TO252
STD10NF10 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N D-PAK
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