參數(shù)資料
型號(hào)： STD10NF10T4
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-252AA
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五（巴西）直|第13A條（?。﹟對(duì)252AA
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大小： 171K
代理商： STD10NF10T4
3/10
STD100NH02L
SWITCHING ON
SWITCHING OFF
SOURCE DRAIN DIODE
(*)
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %.
(
)
Pulse width limitedby safe operating area.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Delay Time
Rise Time
V
DD
= 10 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
15
200
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 10 V I
D
= 60 A V
GS
= 10 V
62
12
8
84
nC
nC
nC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(off)
t
f
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 10 V
R
G
= 4.7
,
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
60
35
ns
ns
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM(
)
Source-drain Current
Source-drain Current (pulsed)
60
240
A
A
V
SD(*)
Forward On Voltage
I
SD
= 60 A
V
GS
= 0
1.3
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
I
SD
= 60 A
V
DD
= 15 V
(see test circuit, Figure 5)
di/dt = 100A/
μ
s
T
j
= 150
°
C
47
58
2.5
ns
nC
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
Safe Operating Area
Thermal Impedance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD10PF06-1 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-251AA
STD10PF06T4 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-252AA
STD10PF06 P - CHANNEL 60V - 0.18 ohm - 10A TO-252 STripFET POWER MOSFET
STD10 Fuse
STD16 Fuse
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD10NF10T4 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N CH 100V 13A DPAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET, N CH, 100V, 0.13OHM, 13A, TO-252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:13A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.13ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V ;RoHS Compliant: Yes
STD10NF10T4 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N CH 100V 13A DPAK
STD10NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500 V Pwr 7A Mdmesh II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD10NM60N 功能描述:MOSFET N-channel 600 V Mdmesh 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD10NM60ND 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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