參數(shù)資料
型號(hào)： STD110
英文描述： STD110|Data Sheet
中文描述： STD110 |數(shù)據(jù)資料
文件頁數(shù)： 125/862頁
文件大?。?/td> 3072K
代理商： STD110
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SEC ASIC
3-55
STD110
NR4DH/NR4/NR4D2/NR4D4
4-Input NOR with 0.5X/1X/2X/4X Drive
Switching Characteristics
NR4D4
(Typical process, 25
°
C, 2.5V, t
R
/t
F
= 0.21ns, SL: Standard Load)
Path
Parameter
Delay [ns]
SL = 2
0.086
0.084
0.262
0.240
0.087
0.084
0.261
0.258
0.086
0.090
0.253
0.247
0.086
0.090
0.253
0.267
<
Delay Equations [ns]
Group1*
0.072 + 0.007*SL
0.069 + 0.007*SL
0.251 + 0.005*SL
0.228 + 0.006*SL
0.073 + 0.007*SL
0.069 + 0.007*SL
0.250 + 0.005*SL
0.246 + 0.006*SL
0.071 + 0.008*SL
0.076 + 0.007*SL
0.242 + 0.005*SL
0.234 + 0.006*SL
0.072 + 0.007*SL
0.077 + 0.007*SL
0.242 + 0.005*SL
0.254 + 0.006*SL
Group2*
0.072 + 0.007*SL
0.071 + 0.007*SL
0.256 + 0.004*SL
0.234 + 0.005*SL
0.072 + 0.007*SL
0.072 + 0.007*SL
0.255 + 0.004*SL
0.252 + 0.005*SL
0.072 + 0.007*SL
0.077 + 0.007*SL
0.248 + 0.004*SL
0.241 + 0.005*SL
0.071 + 0.007*SL
0.078 + 0.007*SL
0.247 + 0.004*SL
0.261 + 0.005*SL
Group3*
0.069 + 0.007*SL
0.072 + 0.007*SL
0.271 + 0.003*SL
0.252 + 0.004*SL
0.069 + 0.007*SL
0.073 + 0.007*SL
0.270 + 0.003*SL
0.270 + 0.004*SL
0.068 + 0.007*SL
0.078 + 0.007*SL
0.263 + 0.003*SL
0.260 + 0.004*SL
0.069 + 0.007*SL
0.078 + 0.007*SL
0.262 + 0.003*SL
0.280 + 0.004*SL
A to Y
tR
tF
tPLH
tPHL
tR
tF
tPLH
tPHL
tR
tF
tPLH
tPHL
tR
tF
tPLH
tPHL
B to Y
C to Y
D to Y
*Group1 : SL < 4, *Group2 : =
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD110NH02LT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-252AA
STD111 STD111|Data Sheet
STD12N05-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-251
STD12NF06T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-252AA
STD12N05L-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-251
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參數(shù)描述
STD110BLK 功能描述:LED 安裝硬件 .2" DIA X.11" BLACK RoHS:否 制造商:Bivar 產(chǎn)品:LED Mounting Clips LED 大小:5 mm 材料:Nylon 顏色:Black 主體長度:4.4 mm 面板厚度尺寸: 封裝:Bulk
STD110N02RT4G 功能描述:MOSFET NFET 24V SPCL TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD110N8F6 功能描述:MOSFET N-CH 80V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:9130pF @ 40V 功率 - 最大值:167W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STD110NH02L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 24V - 0.0044 ohm - 80A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
STD110NH02L_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 24V - 0.0044ohm - 80A - DPAK STripFET TM III Power MOSFET
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