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STI2000	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| TO-92
STI2001	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 600MA I(C) \| TO-92
STI4003D	DIODE TVS 15V 600W BI-DIR
STI4010	DIODE TVS 20V 600W BI-DIR
STI4025	DIODE TVS 24V 600W BI-DIR

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STI2000

TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 40V V(BR)CEO | TO-92

STI2001

TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-92

STI4003D

DIODE TVS 15V 600W BI-DIR

STI4010

DIODE TVS 20V 600W BI-DIR

STI4025

DIODE TVS 24V 600W BI-DIR

相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)	參數(shù)描述
STI17NF25	功能描述:MOSFET N-Channel 250V Pwr Mosfet RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STI18N65M2	功能描述:MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:330 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:770pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50
STI18N65M5	制造商:STMicroelectronics 功能描述:Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N CH 650V 15A I2PAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-Ch 650 V 0.198 Ohm 15 A MDmesh(TM) V
STI18NM60N	功能描述:MOSFET N-channel 600 V 0.27ohm 13A Mdmesh RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STI19NM65N	功能描述:MOSFET N-Ch, 650V-0.25ohms 15.5A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)

參數(shù)描述

STI17NF25

功能描述:MOSFET N-Channel 250V Pwr Mosfet RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

STI18N65M2

功能描述:MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:330 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:770pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50

STI18N65M5

制造商:STMicroelectronics 功能描述:Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N CH 650V 15A I2PAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-Ch 650 V 0.198 Ohm 15 A MDmesh(TM) V

STI18NM60N

功能描述:MOSFET N-channel 600 V 0.27ohm 13A Mdmesh RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

STI19NM65N

功能描述:MOSFET N-Ch, 650V-0.25ohms 15.5A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

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型號：	STI17778
英文描述：	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 500V V(BR)CEO \| TO-218AA
中文描述：	晶體管\|晶體管\|達林頓\|進步黨\| 500V五（巴西）總裁\|到218AA
文件頁數(shù)：	1/1頁
文件大?。?/td>	161K
代理商：	STI17778

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