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參數(shù)資料
| 型號： | STTH602CFP |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220FPAB, FULL PACK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/9頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | STTH602CFP |
Characteristics
STTH602C
2/9
1
Characteristics
When the two diodes 1 and 2 are used simultaneously:
Tj(diode 1) = P (diode 1) X Rth(j-c) (Per diode) + P (diode 2) x Rth(c)
To evaluate the conduction losses use the following equation:
P = 0.85 x IF(AV) + 0.033 IF
2
(RMS)
Table 1.
Absolute ratings (limiting values at Tj = 25° C, unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VRRM
Repetitive peak reverse voltage
200
V
IF(RMS)
RMS forward current
22
A
IF(AV)
Average forward current,
δ = 0.5
TO-220AB
Per diode Tc = 160° C
3
A
Per device Tc = 155° C
6
TO-220FPAB
Per diode Tc = 150° C
3
A
Per device Tc = 140° C
6
IFSM
Surge non repetitive forward current
tp = 10 ms Sinusoidal
60
A
Tstg
Storage temperature range
-65 to + 175
° C
Tj
Maximum operating junction temperature
175
° C
Table 2.
Thermal parameters
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-c)
Junction to case
TO-220AB
Per diode
5
° C/W
Per device
3.0
TO-220FPAB
Per diode
7.5
Per device
5.25
Rth(c)
Coupling
TO-220AB
Per diode
1
TO-220FPAB
Per diode
3
Table 3.
Static electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Typ
Max.
Unit
IR
(1)
Reverse leakage current
Tj = 25° C
VR = VRRM
3
A
Tj = 125° C
3
30
VF
(2)
Forward voltage drop
Tj = 25° C
IF = 3 A
0.98
1.1
V
Tj = 150° C
0.8
0.95
Tj = 25° C
IF = 6 A
1.1
1.25
Tj = 150° C
0.9
1.05
1.
Pulse test: tp = 5 ms, δ < 2 %
2.
Pulse test: tp = 380 s, δ < 2 %
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| STTH806D | 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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