參數(shù)資料
型號(hào)： STTH602CFP
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 整流器
英文描述： 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220FPAB, FULL PACK-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
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代理商： STTH602CFP
Characteristics
STTH602C
4/9
Figure 5.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration (TO-220FPAB)
Figure 6.
Junction capacitance versus
reverse applied voltage (typical
values per diode)
0.0
0.1
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
Z
th(j-c)/Rth(j-c)
Single pulse
TO-220FPAB
tp(s)
1
10
100
1
10
100
1000
C(pF)
F=1MHz
V
osc=30mVRMS
T
j=25°C
VR(V)
Figure 7.
Reverse recovery charges versus
dIF/dt (typical values)
Figure 8.
Reverse recovery time versus dIF/dt
(typical values)
0
20
40
60
80
100
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
Q
RR(nC)
I
F=3A
V
R=160V
T
j=125°C
T
j=25°C
dIF/dt(A/s)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
10
100
1000
t
RR(ns)
I
F=3A
V
R=160V
T
j=125°C
T
j=25°C
dIF/dt(A/s)
Figure 9.
Peak reverse recovery current
versus dIF/dt (typical values)
Figure 10.
Dynamic parameters versus
junction temperature
0
2
4
6
8
10
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
I
RM(A)
I
F=3A
V
R=160V
T
j=125°C
T
j=25°C
dIF/dt(A/s)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
25
50
75
100
125
150
Q
RR;IRM [Tj]/ QRR;IRM [Tj=125°C]
I
RM
Q
RR
I
F=3A
V
R=160V
Tj(°C)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STTH6110TV2 30 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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STTH806D 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
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參數(shù)描述
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STTH60AC06CW 制造商:STMicroelectronics 功能描述:RECTIFIER - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:DIODE ULT FAST 600V 60A TO-247
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