參數(shù)資料
型號(hào)： STTH602CFP
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 整流器
英文描述： 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220FPAB, FULL PACK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大小： 0K
代理商： STTH602CFP
STTH602C
Characteristics
3/9
Table 4.
Dynamic characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
trr
Reverse recovery time
IF = 1 A, dIF/dt = -100 A/s,
VR = 30 V, Tj = 25 °C
14
20
ns
IF = 1 A, dIF/dt = -50 A/s,
VR = 30 V, Tj = 25 °C
21
30
IRM
Reverse recovery current
IF = 3 A, dIF/dt = 200 A/s,
VR = 160 V, Tj = 125 °C
45.5
A
tfr
Forward recovery time
IF = 3 A, dIF/dt = 200 A/s
VFR = 1.1 x VFmax, Tj = 25 °C
24
ns
VFP
Forward recovery voltage
IF = 3 A, dIF/dt = 200 A/s,
Tj = 25 °C
3.7
V
Figure 1.
Peak current versus duty cycle
(per diode)
Figure 2.
Forward voltage drop versus
forward current (typical values per
diode)
0
20
40
60
80
100
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
I
M(A)
T
d=tp/T
tp
I
M
T
δ=tp/T
tp
I
M
P = 5 W
P = 3 W
P = 10 W
δ
0
20
40
60
80
100
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
I
FM(A)
T
j=25°C
T
j=150°C
VFM(V)
Figure 3.
Forward voltage drop versus
forward current (maximum values
per diode)
Figure 4.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration (T0-220AB)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
I
FM(A)
T
j=25°C
T
j=150°C
VFM(V)
0.1
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
Z
th(j-c)/Rth(j-c)
Single pulse
TO-220AB
tp(s)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STTH6110TV2 30 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
STTH6112TV2 30 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
STTH806DI 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
STTH806D 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
STTH806G 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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參數(shù)描述
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STTH60AC06CW 制造商:STMicroelectronics 功能描述:RECTIFIER - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:DIODE ULT FAST 600V 60A TO-247
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