參數(shù)資料
型號： SUD50P04-15
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 40-V (D-S), 175C MOSFET
中文描述： P通道40 - V（下局副局長），175C MOSFET的
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 62K
代理商： SUD50P04-15
SUD50P04-15
Vishay Siliconix
New Product
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4
Document Number: 71176
S-00830—Rev. A, 24-Apr-00
On-Resistance vs. Junction Temperature
Source-Drain Diode Forward Voltage
(
–
r
D
T
J
– Junction Temperature ( C)
V
SD
– Source-to-Drain Voltage (V)
–
I
S
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
10
1
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
GS
= 10 V
I
D
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
0
0
10
20
30
40
50
60
0
25
50
75
100
125
150
175
Safe Operating Area
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
–
I
D
500
10
0.1
0.1
1
10
100
Limited
by r
DS(on)
1
100
T
= 25 C
Single Pulse
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Square Wave Pulse Duration (sec)
2
1
0.1
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
N
T
Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
T
C
– Case Temperature ( C)
–
I
D
0.2
0.1
0.05
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
1 ms
10 ms
100 ms
dc
10 s
100 s
30
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 40 C/W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
0.02
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SUD50P06-15L P-Channel, Tj = 175 °C power MOSFET; low leakage current;
SUD70N02-05P N-Channel 20-V (D-S) 175C MOSFET
SUD70N03-06P N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET
SUM09MN20-270 N-Channel 200-V (D-S) 175C MOSFET
SUM110N02-03P N-Channel 20-V (D-S) 175 C MOSFET
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參數(shù)描述
SUD50P04-15 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P D-PAK
SUD50P04-15_05 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 40-V (D-S), 175C MOSFET
SUD50P04-15-E3 功能描述:MOSFET 40V 50A 100W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUD50P04-15-T4 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 40V 50A 3PIN TO-252 - Tape and Reel
SUD50P04-23 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 40-V (D-S), 175 ∑C MOSFET
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