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存儲器 MT46V8M16P-5B:D DRAM
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，存儲器 MT46V8M16P-5B:D DRAM

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  • 所 在 地： 廣東 深圳市 南山區(qū)
  • 發(fā)布日期： 2018年04月23日
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類型集成電路（IC）  
MT46V8M16P-5B:D介紹：
類別 集成電路（IC）
存儲器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 停產(chǎn)
存儲器類型 易失
存儲器格式 DRAM
技術(shù) SDRAM - DDR
存儲容量 128Mb （8M x 16）
時鐘頻率 200MHz
寫周期時間 - 字，頁 15ns
訪問時間 700ps
存儲器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 2.5 V ~ 2.7 V
工作溫度 0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 66-TSSOP（0.400"，10.16mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝 66-TSOP
基本零件編號 MT46V8M16
動態(tài)存儲器每片只有一條輸入數(shù)據(jù)線，而地址引腳只有8條。為了形成64K地址，必須在系統(tǒng)地址總線和芯片地址引線之間專門設(shè)計一個地址形成電路。
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