以下是，晶體管 IRF7341 FET，類型:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 ，請點擊“詢價”
-晶體管 IRF7341 FET 類型:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-買賣IC網(wǎng)
晶體管 IRF7341 FET
查看大圖

，晶體管 IRF7341 FET

  • 當(dāng) 前 價： -
  • 最小起訂： -pcs
  • 供貨總量： -pcs
  • 點此詢價
  • 發(fā) 貨 期： 7 天內(nèi)發(fā)貨
  • 所 在 地： 廣東 深圳市 南山區(qū)
  • 發(fā)布日期： 2018年04月23日
安富利(深圳)商貿(mào)有限公司進(jìn)入企業(yè)網(wǎng)站查看聯(lián)系方式
  • 聯(lián)系人：張小姐 (女士) QQ 3004668005QQ 3004646718MSN:0755-83259719MSN:0755-83224823
  • 電話：1872004170/18594238246
  • 傳真：0755-82725723/0755-83224823
  • 郵件：3004668005@qq.com
  • 地址：前海深港合作區(qū)前灣一路1號A棟201室
類型分立半導(dǎo)體產(chǎn)品  
IRF7341介紹：
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 不適用於新設(shè)計
FET 類型 2 個 N 溝道（雙）
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 55V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 4.7A
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 50 毫歐 @ 4.7A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 36nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 740pF @ 25V
功率 - 最大值 2W
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝 8-SO
基本零件編號 IRF7341PBF


晶體管有三個極；雙極性晶體管的三個極，分別由N型跟P型組成發(fā)射極（Emitter）、基極(Base) 和集電極（Collector）;場效應(yīng)晶體管的三個極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
免責(zé)聲明： 以上所展示的信息由企業(yè)自行提供，內(nèi)容的真實性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布企業(yè)負(fù)責(zé)。買賣IC網(wǎng)對此不承擔(dān)任何保證責(zé)任。
以上是，晶體管 IRF7341 FET，類型:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的信息
由北京輝創(chuàng)互動信息技術(shù)有限公司獨家運營
粵ICP備14064281號 客服群：4031849 交流群：4031839 商務(wù)合作：QQ 775851086