IRF7343介紹:
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 和 P 溝道
FET 功能 標(biāo)準(zhǔn)
漏源電壓(Vdss) 55V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 4.7A,3.4A
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 50 毫歐 @ 4.7A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 740pF @ 25V 功率 - 最大值 2W
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝 8-SO
基本零件編號 IRF7343PBF
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