參數(shù)資料
型號: SUU50N03-07
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-251
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五(巴西)直|第25A條(?。﹟至251
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代理商: SUU50N03-07
SUU50N03-07
Vishay Siliconix
Document Number: 71295
S-01707
Rev. A, 07-Aug-00
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0
1000
2000
3000
4000
5000
0
6
12
18
24
30
0
2
4
6
8
10
0
12
24
36
48
60
0.000
0.005
0.010
0.015
0.020
0
20
40
60
80
100
0
20
40
60
80
100
120
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0
50
100
150
200
250
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
120
0
10
20
30
40
50
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Capacitance
Gate Charge
Transconductance
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
I
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
I
V
r
Q
g
Total Gate Charge (nC)
I
D
Drain Current (A)
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
C
)
g
55 C
5 V
T
C
= 125 C
V
DS
= 15 V
I
D
= 50 A
V
GS
= 10 thru 6 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
C
rss
T
C
=
55 C
25 C
125 C
3 V
C
oss
C
iss
I
D
Drain Current (A)
25 C
4 V
2 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SV010001 BODENBELAG FESTES VINYL 5.0M
SV010002 BODENBELAG FESTES VINYL 10.0M
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SV3SS
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參數(shù)描述
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SUU50N03-10P 功能描述:MOSFET 30V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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