參數(shù)資料
型號: SUU50N03-07
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-251
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五(巴西)直|第25A條(?。﹟至251
文件頁數(shù): 4/4頁
文件大小: 44K
代理商: SUU50N03-07
SUU50N03-07
Vishay Siliconix
www.vishay.com
4
Document Number: 71295
S-01707
Rev. A, 07-Aug-00
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
On-Resistance vs. Junction Temperature
Source-Drain Diode Forward Voltage
(
r
T
J
Junction Temperature ( C)
V
SD
Source-to-Drain Voltage (V)
)
I
100
10
1
0.3
0.6
0.9
1.2
V
GS
= 10 V
I
D
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
0
THERMAL RATINGS
0
6
12
18
24
30
0
25
50
75
100
125
150
175
Safe Operating Area
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
I
10
0.01
0.1
1
10
100
Limited by r
DS(on)
1
1000
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
2
1
0.1
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
100
N
T
Maximum Avalanche Drain Current
vs. Case Temperature
T
C
Case Temperature ( C)
I
600
0.1
100
T
= 25 C
Single Pulse
1 ms
10 ms
100 ms
100 s,
dc
100 s
10 s
1 s
10 s
10
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
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PDF描述
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參數(shù)描述
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