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參數(shù)資料
| 型號： | T436416A-8S |
| 廠商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 4M X 16 SDRAM |
| 中文描述： | 4米× 16內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 14/29頁 |
| 文件大小： | 712K |
| 代理商： | T436416A-8S |
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TE
CH
tm
*note : 1. All input expect CKE & DQM can be don’t care when
CS
is high at the CLK high going edge.
T436416A
TMemory Technology Inc. reserves the right
P.14
to change products or specifications without notice.
Publication Date: MAY. 2003
Revision: B
2. Bank active & read/write are controlled by BA0 – BA1.
BA0
BA1
Active & Read/Write
0
0
Bank A
1
0
Bnak B
0
1
Bank C
1
1
Bnak D
3. Enable and disable auto precharge function are controlled by A
10
/AP in read/wirte command.
A10
Auto-Precharge
0
Disable (End of burst)
1
Enable (End of burst)
BA0 BA1
Operation
0
0
Enable read/write command for bank A .
1
0
Enable read/write command for bank B .
0
1
Enable read/write command for bank C .
1
1
Enable read/write command for bank D .
4. A
10
/AP and BA control bank precharge when precharge command is asserted.
A
10
/AP BA0 BA1
precharge
0
0
0
Bank A
0
1
0
Bank B
0
0
1
Bank C
0
1
1
Bank D
1
X
X
All Bamks
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T436416A-8SG | 4M X 16 SDRAM |
| T436416C | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416C-6S | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416C-6SG | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416C-7S | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T436416A-8SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M X 16 SDRAM |
| T436416C | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416C-6S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416C-6SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416C-7S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
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