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參數(shù)資料
| 型號： | T436416C |
| 廠商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4米× 16 SDRAM的100萬x 16Bit的X 4Banks同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 18/28頁 |
| 文件大小： | 651K |
| 代理商： | T436416C |
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TE
CH
tm
Page Read Cycle at Different Bank @ Burst Length = 4
0
1
2
3
4
5
T436416C
TM Technology Inc. reserves the right
P.18
to change products or specifications without notice.
Publication Date: AUG. 2004
Revision: A
C L O C K
C K E
C S
R A S
C A S
A D D R
A 1 3 ,A 1 2
A 1 0 /A P
C L = 2
C L = 3
W E
6
7
8
9
1 0
1 1
1 2
1 3
1 4
1 5
1 6
1 7
1 8
1 9
H IG H
D Q M
D Q
:D o n 't care
* N o te 1
* N o te 2
R A a
C A a
R B b
C B b
C A c
C B d
C A e
R A a
R B b
Q A a0
Q A a1
Q A a2
Q A a3
Q A a0
Q A a1
Q A a2
Q A a3
Q B b0
Q B b0
Q B b1
Q B b2
Q B b3
Q B b1
Q B b2
Q B b3
Q A c0
Q A c1
Q A c0
Q A c1
Q B d0
Q B d0
Q B d1
Q B d1
Q A e0
Q A e0
Q A e1
Q A e1
R ow A ctive
(A -B an k )
R ead (A -
B an k )
R ow A ctive
(B -B ank )
R ead (B -
B an k )
R ead (A -
B an k )
R ead (B -
B an k )
R ead (A -
B an k )
P recharge
(A -B an k )
*Note : 1.
CS
can be don’t cared when RAS,
CAS
and WE are high at the clock high going edge.
2. To interrupt a burst resd by row precharge, both the read and the precharge banks must be the same.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T436416C-6S | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416C-6SG | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416C-7S | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416C-7SG | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T436416C-6S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416C-6SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416C-7S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416C-7SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
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