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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | T436416C |
| 廠商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4米× 16 SDRAM的100萬(wàn)x 16Bit的X 4Banks同步DRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 25/28頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 651K |
| 代理商： | T436416C |
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TE
CH
tm
Active/ Precharge Power Down Mode @ CAS latency = 2, Butsr length = 4
0
1
2
3
4
5
6
SS
T436416C
TM Technology Inc. reserves the right
P.25
to change products or specifications without notice.
Publication Date: AUG. 2004
Revision: A
CLOCK
CKE
CS
RAS
CAS
ADDR
A13,A12
A10/AP
DQ
W E
DQM
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
:Don't care
Precharge
Power-Down
Entry
Precharge
Power-Down
Exit
Row Active
Active
Power-Down
Entry
Active
Power-Down
Exit
Read
Precharge
Qa0
Qa1
Qa2
Ra
Ca
Ra
t
SHZ
SS
tss
tss
tss
*Note1
*Note3
*Note2
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
SS
*Note : 1. Both banks should be in idle state prior to entering precharge power down mode.
2. CKE should be set high at least 1CLK+
t
SS
prior to Row active command.
3. Can not violate minimum refresh specification.(64ms)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T436416C-6S | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416C-6SG | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416C-7S | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416C-7SG | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T436416C-6S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416C-6SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416C-7S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416C-7SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
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