參數(shù)資料
型號(hào)： TC55VBM316ATGN40
元件分類： SRAM
英文描述： 512K X 16 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48
文件頁(yè)數(shù)： 12/15頁(yè)
文件大?。?/td> 209K
代理商： TC55VBM316ATGN40
TC55VBM316ATGN/ASGN40,55
2002-05-14
6/15
AC CHARACTERISTICS AND OPERATING CONDITIONS
(Ta
==== 40° to 85°C, VDD ==== 2.3 to 3.6 V)
READ CYCLE
TC55VBM316ATGN/ASGN
40
55
SYMBOL
PARAMETER
MIN
MAX
MIN
MAX
UNIT
tRC
Read Cycle Time
55
70
tACC
Address Access Time
55
70
tCO1
Chip Enable(
1
CE
) Access Time
55
70
tCO2
Chip Enable(CE2) Access Time
55
70
tOE
Output Enable Access Time
30
35
tBA
Data Byte Control Access Time
55
70
tCOE
Chip Enable Low to Output Active
5
5
tOEE
Output Enable Low to Output Active
0
0
tBE
Data Byte Control Low to Output Active
5
5
tOD
Chip Enable High to Output High-Z
25
30
tODO
Output Enable High to Output High-Z
25
30
tBD
Data Byte Control High to Output High-Z
25
30
tOH
Output Data Hold Time
10
10
ns
WRITE CYCLE
TC55VBM316ATGN/ASGN
40
55
SYMBOL
PARAMETER
MIN
MAX
MIN
MAX
UNIT
tWC
Write Cycle Time
55
70
tWP
Write Pulse Width
40
50
tCW
Chip Enable to End of Write
45
55
tBW
Data Byte Control to End of Write
45
55
tAS
Address Setup Time
0
0
tWR
Write Recovery Time
0
0
tODW
R/W Low to Output High-Z
25
30
tOEW
R/W High to Output Active
0
0
tDS
Data Setup Time
25
30
tDH
Data Hold Time
0
0
ns
Note:
tOD, tODO, tBD and tODW are specified in time when an output becomes high impedance, and are not judged depending on
an output voltage level.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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TC55VCM208ASTN55 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:524,288-WORD BY 8-BIT FULL CMOS STATIC RAM
TC55VCM216ASTN40 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
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