參數(shù)資料
型號(hào)： TC55VBM316ATGN40
元件分類： SRAM
英文描述： 512K X 16 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48
文件頁數(shù)： 14/15頁
文件大?。?/td> 209K
代理商： TC55VBM316ATGN40
TC55VBM316ATGN/ASGN40,55
2002-05-14
8/15
READ CYCLE
(See Note 1)
WRITE CYCLE 1 (R/W CONTROLLED)
(See Note 4)
CE2
tRC
tACC
tOD
VALID DATA OUT
tOE
tBE
tBD
Hi-Z
tCO1
1
CE
OE
tBA
tCOE
tOH
tODO
tOEE
tCO2
UB
, LB
Address
A0~A18 (Word Mode)
A-1~A18 (Byte Mode)
DOUT
I/O1~16 (Word Mode)
I/O1~8 (Byte Mode)
R/W
CE2
tAS
tCW
tWR
VALID DATA IN
tODW
tWP
tDS
tDH
tOEW
Hi-Z
tCW
1
CE
tWC
tBW
UB
, LB
(See Note 3)
(See Note 2)
(See Note 5)
Address
A0~A18 (Word Mode)
A-1~A18 (Byte Mode)
DOUT
I/O1~16 (Word Mode)
I/O1~8 (Byte Mode)
DIN
I/O1~16 (Word Mode)
I/O1~8 (Byte Mode)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TC55VBM416AFTN55 功能描述:IC SRAM 16MBIT 55NS 48TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
TC55VBM416ATGN55LA 制造商:Toshiba 功能描述:Cut Tape
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TC55VCM208ASTN55 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:524,288-WORD BY 8-BIT FULL CMOS STATIC RAM
TC55VCM216ASTN40 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
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