參數(shù)資料
型號(hào)： TE28F640P30T85
廠商： INTEL CORP
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PDSO56
封裝： 14 X 20 MM, TSOP-56
文件頁(yè)數(shù)： 25/102頁(yè)
文件大?。?/td> 1609K
代理商： TE28F640P30T85
1-Gbit P30 Family
Datasheet
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
April 2005
25
6
128
111
6F0000 - 6FFFFF
55
370000 - 37FFFF
.
.
.
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.
128
96
600000 - 60FFFF
48
300000 - 30FFFF
5
128
95
5F0000 - 5FFFFF
47
2F0000 - 2FFFFF
.
.
.
.
.
128
80
500000 - 50FFFF
39
280000 - 28FFFF
4
128
79
4F0000 - 4FFFFF
38
270000 - 27FFFF
.
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128
64
400000 - 40FFFF
32
200000 - 20FFFF
3
128
63
3F0000 - 3FFFFF
31
1F0000 - 1FFFFF
.
.
.
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.
128
48
300000 - 30FFFF
24
180000 - 18FFFF
2
128
47
2F0000 - 2FFFFF
23
170000 - 17FFFF
.
.
.
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.
128
32
200000 - 20FFFF
16
100000 - 10FFFF
1
128
31
1F0000 - 1FFFFF
15
0F0000 - 0FFFFF
.
.
.
.
.
128
16
100000 - 10FFFF
8
080000 - 08FFFF
0
128
15
0F0000 - 0FFFFF
7
070000 - 07FFFF
.
.
.
.
.
128
0
000000 - 00FFFF
0
000000 - 00FFFF
Table 7.
Discrete Top Parameter Memory Maps (all packages)
Programming
Region #
Size
(KB)
Blk
256-Mbit
Blk
128-Mbit
Programming
Region #
Size
(KB)
Blk
64-Mbit
Table 8.
Discrete Bottom Parameter Memory Maps (all packages)
Programming
Region
Size
(KB)
Blk
256-Mbit
Blk
128-Mbit
Programming
Region
Size
(KB)
Blk
64-Mbit
15
128
258
FF0000 - FFFFFF
130
7F0000 - 7FFFFF
7
128
62
3F0000 - 3FFFFF
.
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128
243
F00000 - F0FFFF
123
780000 - 78FFFF
128
56
380000 - 38FFFF
14
128
242
EF0000 - EFFFFF
122
770000 - 77FFFF
6
128
55
370000 - 37FFFF
.
.
.
.
.
.
.
.
128
227
E00000 - E0FFFF
115
700000 - 70FFFF
128
48
300000 - 30FFFF
13
128
226
DF0000 - DFFFFF
114
6F0000 - 6FFFFF
5
128
47
2F0000 - 2FFFFF
.
.
.
.
.
.
.
.
128
211
D00000 - D0FFFF
107
680000 - 68FFFF
128
40
280000 - 28FFFF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TE28F128P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F160B3-B120 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
TE28F800B3-B120 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
TE28F400B3-B120 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
TE28F160B3-B150 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TE28F640P30T85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線(xiàn)串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):CAV24C32WE-GT3OSTR
TE28F640P33B85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
TE28F640P33T85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線(xiàn)） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
TE28F800B3 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY
TE28F800B3B110 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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