參數(shù)資料
型號(hào)： TGF2022-24
廠商： TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 衰減器
英文描述： DC - 20 GHz Discrete power pHEMT
中文描述： 0 MHz - 20000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER
封裝： 0.57 X 1.30 MM, 0.10 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, CHIP-8
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大小： 145K
代理商： TGF2022-24
Advance Product Information
September 19, 2005
TGF2022-24
TriQuint Semiconductor Texas: Phone (972)994-8465 Fax (972)994-8504 Email: Info-mmw@tqs.com Web: www.triquint.com
4
Drain
Lg Rg
Cdg
Rd Ld
Rdg
Gate
Rgs
Cgs
R
i
+
v
i
-
gm v
i
Rds
Cds
Ls
Rs
Source
Source
Rp, Cp
Linear Model for 0.6 mm Unit pHEMT cell
UPC = 0.6mm Unit pHEMT Cell
Gate
Source
Source
Drain
UPC
8QLWS+(07FHOO
5HIHUHQFH3ODQH
MODEL
PARAMETER
Vd = 8V
Idq = 45mA
Vd = 8V
Idq = 60mA
Vd = 8V
Idq = 75mA
Vd = 10V
Idq = 45mA
Vd = 10V
Idq = 60mA
Vd = 12V
Idq = 45mA
UNITS
Rg
0.22
0.23
0.24
0.23
0.24
0.24
Rs
0.40
0.41
0.41
0.46
0.45
0.50
Rd
0.51
0.52
0.52
0.50
0.50
0.48
gm
0.195
0.202
0.202
0.188
0.195
0.183
S
Cgs
1.50
1.63
1.70
1.64
1.73
1.71
pF
Ri
1.65
1.59
1.58
1.72
1.64
1.73
Cds
0.115
0.115
0.116
0.114
0.115
0.114
pF
Rds
243.14
247.08
255.12
278.72
279.31
302.49
Cgd
0.072
0.066
0.063
0.064
0.061
0.060
pF
Tau
5.94
6.23
6.51
6.85
6.95
7.36
pS
Ls
0.001
0.001
0.001
0.001
0.001
0.001
nH
Lg
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
nH
Ld
0.121
0.120
0.118
0.118
0.118
0.117
nH
Rgs
5110
5140
8310
5110
5420
5120
Rgd
57700
64800
74400
79400
82900
82300
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TGF2022-48 DC - 20 GHz Discrete power pHEMT
TGF2022-60 DC - 20 GHz Discrete power pHEMT
TGF2961-SD Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 500; Vz (V): 8.3 to 9.1; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: LLD
TGF4112 12 mm Discrete HFET
TGF4112-EPU 12 mm Discrete HFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TGF2022-48 功能描述:射頻GaAs晶體管 DC-20GHz 4.8mm Pwr pHEMT (0.35um) RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
TGF2022-60 功能描述:射頻GaAs晶體管 DC-20GHz 6.0mm Pwr pHEMT (0.35um) RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
TGF2023-01 功能描述:射頻GaAs晶體管 1.25mm GaN Discrete RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
TGF2023-02 功能描述:射頻GaAs晶體管 2.5mm GaN Discrete RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
TGF2023-05 功能描述:射頻GaAs晶體管 5.0mm GaN Discrete RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*