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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TH50VSF3681AASB |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | GT 10C 10#16 SKT RECP BOX RM |
| 中文描述： | SRAM和閃存混合多芯片封裝 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 19/55頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 585K |
| 代理商： | TH50VSF3681AASB |
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TH50VSF3680/3681AASB
2001-03-06 19/55
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS
(Ta
=
20°~85°C)
SYMBOL
PARAMETER
MIN
TYP.
MAX
UNIT
V
CCs
/V
CCf
Power Supply Voltage
2.7
3.3
V
IH
Input High-Level Voltage
2.2
V
CC
+
0.3
V
IL
Input Low-Level Voltage
0.3
(1)
V
CC
×
0.2
V
DH
Data Retention Voltage for SRAM
1.5
3.3
V
LKO
Flash Low-Lock Voltage
2.3
2.5
V
ACC
High Voltage for
/ACC
WP
8.5
9.5
V
ID
High Voltage for
RESET
11.4
12.6
V
(1)
2.0 V for pulse width
≤
20 ns
CAPACITANCE
(Ta
=
25°C, f
=
1 MHz)
SYMBOL
PARAMETER
CONDITION
MIN
TYP.
MAX
UNIT
C
IN
Input Capacitance
V
IN
=
GND
TBD
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
=
GND
TBD
pF
Note: These parameters are sampled periodically and are not tested for every device.
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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